科技日报讯 据物理学家组织网10月14日报道，中美科学家携手合作，为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体（TI）的电导体 。该研究团队陈诉称，他们在一个超高真空腔内，分别在砷化镓（GaAs）粗拙和光滑的外貌，种植出了两类拓扑绝缘体质料，并对它们输送电子的能力进行了评估 。相关研究发表在最新一期的美国物理联合会学术期刊《AIP Advances》上 。
拓扑绝缘体是一种具有新奇量子特性的物质状态，为近几年来物理学的重要科学前沿之一 。从理论上分析，这类质料的内部是一个绝缘体，会阻碍电荷的流动；但其外貌则像一个非常高效的电导体，使电子不会偏离其行进偏向 。
该研究的通讯作者、北京大学量子质料科学中心研究员、博士生导师王� 。ㄒ粢耄┨逑郑骸巴仄司堤逅涤械恼庵质粜允蛊淠茉谖蠢从糜诔咚佟⒛芰坎簧⒁莸募扑慊�，这种计算机内的大量信息将被量子通道内的电子所运载，制止目前计算机中电子散射导致的芯片过热、数据流被破坏以及操作速度减慢的困扰 。”
研究人员以半导体工业广泛使用的质料砷化镓作为基座，制造出了两类拓扑绝缘体质料：碲化铋、碲化锑 。
该研究的联合作者、阿肯色州纳米质料科学和工程研究所纳米技术学家蒂莫西·摩根说：“电子传导能力更强的高质量拓扑绝缘体薄膜在更光滑的外貌基座上被种植出来，这对我们来说是一个意外之喜，一般来说，粗拙的点会为薄膜的生长提供定位点，而光滑的外貌则不会 。新发现表明，我们需要对实验中涉及到的生长机制进行更深入的视察 。”
该研究的主要作者、俄亥俄州立大学电子和计算机工程学院的博士后曾兆权（音译）体现，他们已经证明，能够在工业尺度的基座上种植出高质量的拓扑绝缘体质料，接下来，他们计划用其设计并制造出某些基本的设备，以便检查它们在进行电子开关和光电探测方面的体现 。（刘霞）